Китай разработал самый маленький энергоэффективный транзистор в мире

Сегнетоэлектрические полевые транзисторы (FeFET) способны совершить революцию в производстве микрочипов для нейросетей. Новая структура обеспечивает формирование электрического поля через сегнетоэлектрический слой, позволяя работать при напряжении всего 0,6 В — ниже современного стандарта логических схем. Энергопотребление составляет около одной десятой от традиционных FeFET при времени отклика всего 1,6 наносекунды. Технология обещает не только снизить расход электронергии для дата-центров, но и открывает путь к созданию узлов субнанометрового масштаба. Современные полупроводниковые чипы...