Вертикальные транзисторы GaN от onsemi

Компания onsemi разработала технологию вертикальных полупроводниковых структур на основе нитрида галлия. Новая технология vGaN позволяет создавать компоненты с рабочим напряжением 1200 вольт и выше. Разработку ведут на производственной линии компании в Сиракьюсе, штат Нью-Йорк, где onsemi обладает более чем 130 глобальными патентами на процессы, конструкции устройств и системные решения...