Группа исследователей разработала инновационную платформу, способную производить и обнаруживать ультрафиолетовые лазерные импульсы в диапазоне C (100–280 нм), продолжительность которых составляет менее триллионной доли секунды. Эта технология имеет потенциал для создания новых систем связи и визуализации. В ходе экспериментов учёные продемонстрировали, что такие ультракороткие импульсы можно надежно обнаруживать с помощью современного полупроводникового оборудования, изготовленного из двумерных материалов.
Работа была опубликована в журнале Light: Science & Applications и проводилась под руководством двух профессоров Амалии Патане из Университета Ноттингема и Джона Тиша из Имперского колледжа Лондона. В основе системы лежит сочетание ультрабыстрого лазерного источника и детекторов, созданных на базе атомарно тонких полупроводников. Генерация импульсов осуществляется с помощью фазово-согласованных процессов второго порядка в кристаллах, а их детекция — с применением фотодетекторов на основе селенида галлия и его оксидного соединения.
Чтобы подтвердить концепцию, команда построила систему свободно-пространственной связи, которая позволила закодировать информацию в УФ-С лазере и успешно декодировать её с помощью полупроводникового сенсора. Профессор Амалия Патане отметила, что это исследование стало первым, которое объединяет генерацию фемтосекундных импульсов с их быстрым детектированием. Новые сенсоры продемонстрировали линейный и суперлинейный отклик, что является крайне важным для дальнейшего развития УФ-С фотоники.
Профессор Джон Тиш подчеркнул, что их подход к генерации УФ-С лазерного излучения через нелинейные оптические процессы в кристаллах показал высокую эффективность. Это достижение открывает двери для оптимизации и миниатюризации системы, что может привести к созданию компактных источников УФ-С излучения. Применение таких технологий возможно в автономных системах связи, широкополосной визуализации и ультрабыстрой спектроскопии.
Читайте также:
Источник: rutab.net