Японские учёные представили новый тип памяти, который может произвести революцию в вычислительной технике. Разработка на основе антиферромагнетика тримарганец-олово (Mn3Sn) способна переключаться за 40 пикосекунд, что в 250 раз быстрее, чем у современной DRAM.
DRAM (динамическая оперативная память) является основой оперативной памяти современных компьютеров и серверов. Её скорость переключения составляет порядка 10 наносекунд. Новая технология сокращает это время до пикосекундного диапазона, что открывает путь к значительному повышению производительности.
Исследование показало, что антиферромагнетик тримарганец-олово обладает уникальными свойствами, позволяющими сверхбыстрое переключение магнитного состояния. В отличие от традиционных материалов, используемых в памяти, этот сплав может переключаться без значительных потерь энергии.
Потенциальные области применения включают высокопроизводительные вычисления, искусственный интеллект и центры обработки данных, где скорость доступа к памяти является критическим фактором. Кроме того, такая память может быть более энергоэффективной.
Пока технология находится на стадии лабораторных исследований, но авторы работы отмечают, что материалы на основе антиферромагнетиков могут стать основой для коммерческих образцов памяти уже в ближайшие годы. Необходима дальнейшая работа по интеграции в существующие производственные процессы.
Открытие японских учёных — очередной шаг в развитии альтернативных типов памяти, таких как MRAM и FeRAM, которые стремятся объединить скорость DRAM с энергонезависимостью Flash.