Молекулярная электроника увеличит плотность размещения элементов на чипах в 1000 раз

Современная полупроводниковая индустрия приближается к физическим пределам миниатюризации. Длина затвора самых передовых транзисторов уже менее 15 нм. На таких масштабах начинают доминировать квантовые эффекты, приводящее к утечкам тока, перегреву и резкому росту стоимости производства. Новое исследование иллюстрирует интерес к радикально иной концепции — молекулярной электронике, где отдельные молекулы выступают в роли активных компонентов. Идея молекулярной электроники, предложенная еще в 1974 году, заключается в использовании органических молекул, которые могут выполнять функции диодов,...