Фото: © D. Novikov
Учёные из Стэнфордского университета представили революционную технологию охлаждения микрочипов с помощью алмазов. Исследователи разработали метод выращивания микрометрового слоя алмаза прямо на поверхности транзисторов, что позволило снизить их температуру на 70 °C в реальных тестах и на 90 % в моделировании.
Новая методика решает одну из главных проблем современной микроэлектроники — перегрев при росте плотности транзисторов. В лаборатории под руководством профессора Шрабанти Чоудхури удалось впервые вырастить алмазный слой при температуре около 400 °C, что безопасно для полупроводниковых структур. Ранее подобные процессы требовали температуры свыше 1000 °C и могли уничтожить микросхемы.
Алмаз обладает рекордной теплопроводностью — в шесть раз выше, чем у меди. Это делает его идеальным материалом для отвода тепла. Новый метод использует поликристаллический алмаз, выращенный с добавлением кислорода, чтобы удалить загрязнения и повысить проводимость. Такой слой окружает транзисторы и рассеивает тепло значительно эффективнее традиционных радиаторов.
Технология уже заинтересовала DARPA и крупнейших производителей микрочипов, включая TSMC, Micron и Samsung. Массовое внедрение алмазного охлаждения ожидается к 2027году. Учёные считают, что этот прорыв может продлить «жизнь кремниевой эры» и открыть путь к созданию более производительных и энергоэффективных процессоров будущего.
Ранее издание Пепелац Ньюс назвало смартфоны с лучшими камерами.