Компания Box Optronics представила 50-микронные лавинные фотодиоды InGaAs APD. Устройства отличаются высокой чувствительностью и чрезвычайно малым временем нарастания и спада сигнала в диапазоне длин волн от 900 до 1700 нм. Пиковая чувствительность на длине волны 1550 нм делает эти фотодиоды идеальными для применения в безопасных для глаз лазерных дальномерах, системах оптической связи, оптической рефлектометрии (OTDR) и оптической когерентной томографии.
Электрооптические характеристики (T=25°C) 50-микронных лавинных фотодиодов InGaAs APD: