Прототип NAND-памяти Samsung на FeFET

Исследовательское подразделение компании Samsung представило прототип чипа энергонезависимой памяти, который основан на ферроэлектрических полевых транзисторах. Эта технология, известная как FeFET, использует изменение поляризации специального материала для хранения данных, а не накопление электрического заряда, как в традиционной NAND-флеш-памяти. Такой подход позволяет значительно снизить энергопотребление и напряжение, необходимое для операций записи...